公司深耕IGBT模塊的研發(fā)和銷售,作為國內(nèi)IGBT行業(yè)的領軍企業(yè),不僅具備先進的模塊設計及制造工藝,亦擁有自主研發(fā)設計的IGBT芯片和快恢復二極管芯片的能力。
據(jù)東吳證券研報分析,公司在IGBT模塊供應商全球市場份額排名中,公司排名第7位,在中國企業(yè)中排名第1位,成為世界排名前十中唯壹一家中國企業(yè),市場優(yōu)勢地位顯著。受益于工業(yè)控制及電源、新能源市場的發(fā)展,IGBT模塊需求量持續(xù)提升,公司憑借自主研發(fā)優(yōu)勢積極拓展應用市場和客戶,持續(xù)提升IGBT產(chǎn)品市場份額,推動業(yè)績實現(xiàn)高速增長。
一、深耕IGBT領域,市場優(yōu)越地位顯著
IGBT模塊的核心是IGBT芯片和快恢復二極管芯片,公司作為國內(nèi)IGBT行業(yè)的領軍企業(yè),不僅具備先進的模塊設計及制造工藝,亦擁有自主研發(fā)設計國際主流IGBT和快恢復二極管芯片的能力,**實現(xiàn)了IGBT和快恢復二極管芯片及模塊的國產(chǎn)化,自主研發(fā)設計的IGBT芯片和快恢復二極管芯片也構筑了公司在IGBT市場突出的產(chǎn)品競爭力。
專注IGBT主業(yè),市場優(yōu)越地位顯著。自2005年成立以來,公司一直致力于IGBT芯片和快恢復二極管芯片的設計和工藝及IGBT模塊的設計、制造和測試,根據(jù)公司披露,2019年公司在全球IGBT模塊市場排名第七(并列),在中國企業(yè)中排名第1位,市場占有率2.5%,是唯壹進入前十的中國企業(yè),市場優(yōu)勢地位顯著。
2020年,公司營業(yè)收入9.63億元,同比增長23.55%,歸母凈利潤1.81億元,同比增長33.56%。
2020年,公司毛利率為31.56%,同比增長0.95個百分點,凈利率為18.80%,同比增長1.38個百分點,盈利能力持續(xù)提升。
二、替代空間廣闊,IGBT國產(chǎn)化加速推進
面對工業(yè)控制、電源、變頻家電、新能源發(fā)電、新能源汽車等下游應用對更高性能IGBT產(chǎn)品的需求,IGBT技術**不斷,朝著微型化、高功率等方向不斷突破,技術更新的內(nèi)生驅(qū)動力不斷釋放IGBT的應用潛力、拓展相關應用場景,帶動了IGBT等功率半導體市場的快速發(fā)展。
在英飛凌、富士電機、ABB等廠商的推動下,IGBT的結構設計仍在不斷突破和**,并涌現(xiàn)出了P-ringTS+Trench、超級結和SiCIGBT等全新技術,推動IGBT應用和市場的持續(xù)發(fā)展。
同時,IGBT的制造工藝也在持續(xù)革新,IGBT產(chǎn)品的差異化和性能的提升有賴于摻雜、擴散和薄片加工等多種工藝的應用,相關工藝的技術壁壘較高,制造技術也成為實現(xiàn)IGBT自主**的關鍵。
目前,國內(nèi)IGBT市場主要由英飛凌、三菱電機、富士電機等海外廠商占據(jù)。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)的數(shù)據(jù),2019年,英飛凌、三菱電機、富士電機、ABB、飛兆等海外廠商在中國IGBT市場的份額合計達48.7%,同時,從400V及以下的常規(guī)IGBT市場到4500V以上的優(yōu)異IGBT市場,海外廠商的IGBT產(chǎn)品的市場優(yōu)勢地位均十分明顯。
目前,IGBT國產(chǎn)化已成為國家關鍵半導體器件的發(fā)展重點之一,IGBT也被列為國家“02專項”的重點扶持項目,相關產(chǎn)業(yè)進入高速發(fā)展階段。同時,廣闊的IGBT市場中也涌現(xiàn)出一批包括中車時代電氣(3898.HK)、比亞迪(比亞迪股份,1211.HK)、斯達半導等在內(nèi)的掌握IGBT核心技術的企業(yè),在產(chǎn)業(yè)政策和市場需求的驅(qū)動下,IGBT國產(chǎn)化進程加速啟動。
三、IGBT布局完善,充分受益國產(chǎn)替代
2020年,公司基于第六代TrenchFieldStop技術的1200VIGBT芯片在12寸產(chǎn)線上開發(fā)成功并開始批量生產(chǎn);公司車規(guī)級SGTMOSFET研發(fā)成功,2021年有望開始批量供貨;公司繼續(xù)布局寬禁帶功率半導體器件,在新能源汽車行業(yè)控制器、光伏行業(yè)推出的各類SiC模塊得到進一步的推廣應用,公司應用于新能源汽車的車規(guī)級SiC模塊獲得國內(nèi)外多家杰出車企和Tier1客戶的項目定點,有望對公司未來車規(guī)級SiC模塊銷售增長提供持續(xù)推動力;此外,公司IPM模塊在國內(nèi)白色家電、工業(yè)變頻器、伺服控制器等行業(yè)繼續(xù)開拓,市場份額持續(xù)提高。
在新能源汽車領域,公司已成功躋身于國內(nèi)汽車級IGBT模塊的主要供應商之列,與國際企業(yè)同臺競爭,市場份額不斷擴大。2020年,公司基于第六代TrenchFieldStop技術的650V/750VIGBT芯片及配套的快恢復二極管芯片在新能源汽車行業(yè)使用比率持續(xù)提升;公司生產(chǎn)的汽車級IGBT模塊合計配套超過20萬輛新能源汽車;同時,公司在車用空調(diào),充電樁,電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高。
IGBT芯片設計和模塊封裝技術不斷突破,自主**推進國產(chǎn)替代,產(chǎn)品競爭力突出。目前,國內(nèi)IGBT芯片和快恢復二極管芯片主要依賴進口,國內(nèi)可以自主研發(fā)IGBT芯片和快恢復二極管芯片的公司較少。公司在IGBT領域堅持自主**,掌握了IGBT芯片場終止設計、IGBT芯片高壓終端環(huán)設計、超薄片工藝等核心技術,目前已申請99項磚利,其中包括28項發(fā)明磚利。未來,公司將持續(xù)加大在下一代IGBT芯片、車規(guī)級SiC芯片以及3300V-6500V高壓IGBT的研發(fā)力度,夯實技術和產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。(東吳證券)