1）反向特性
西門康可控硅模塊控制是非常開放的，正、反向電壓,J2結是積極的，但J1，J2和反面。在這一點上只有很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高，J1結的雪崩擊穿電壓，然后J3結也擊穿，對彎開始特征電流急劇增加，如特征或部分的電壓稱為反向，尿轉折點的彎曲”。在這一點上，可控硅將發生**反向擊穿。

2）正向特性
當閘門打開，陽極加上正向電壓，J1，J2 J3結是偏頗的，但結反向偏置，可控硅模塊與普通PN結的反向特性類似，只有通過小電流。這就是所謂的正向阻斷狀態，當電壓增加彎曲的特點，在OA的特點表明，彎曲稱為正向轉折電壓UBO.

3、觸發導通
當正電壓加到控制極P2，J3在N2區，在IGT區N2區的電子在P2區，這是對可控硅硅的正反饋效應的基礎上，由G.形成，增加IGT的影響，這導致提前SCR的鉛，導致OA的伏安特性轉移到該段的左IGT的更大，更快速的左特征。西門康可控硅模塊由于高電壓上升到J2結的雪崩擊穿電壓，雪崩倍增效應發生在J2結，導致大量在結區的電子和空穴，當電子進入N1區，與孔進入P2區。在電子和J1結為N1區通過P1連接孔復合N1區，成孔的P2區和N2連接到P2區通過J3結電子復合，雪崩擊穿，為電子的N1區和成孔的P2區不能將所有的材料，所以在孔積累區的N1，P2區的結果，潛在的N1區縮小，J2結變得積極，只要電流略有增加，所謂的負阻特性.