IGBT的經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì),主要涉及電壓規(guī)格和電流規(guī)格。
在選擇IGBT模塊參數(shù)和工作頻率的時(shí)候大家一定要慎重,下面就為大家詳細(xì)的介紹一下IGBT模塊參數(shù)和工作頻率選擇。
1.1電壓規(guī)格的選擇
電壓規(guī)格的選擇依據(jù)比較直觀,有市電規(guī)格和直流母線電壓規(guī)格。
1.市電規(guī)格
市電規(guī)格與IGBT 電壓規(guī)格的一般對(duì)應(yīng)關(guān)系參見(jiàn)表 1。
表1
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國(guó)家(地區(qū))
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模塊電壓規(guī)格/商業(yè)交流電壓規(guī)格
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330V
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600V
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1200V
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1400V
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1700V
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中國(guó)
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220V
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380V
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575V
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575V
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美國(guó)
北美
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208V
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575V
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575V
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230V
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460V
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240V
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480V
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246V
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歐洲
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346V
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690V
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200V
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350V
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220V
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380V
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230V
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400V
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240V
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415V
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440V
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日本
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110V
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200V
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400V
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220V
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440V
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表中的對(duì)應(yīng)關(guān)系是針對(duì)橋式電路的;對(duì)于單管電路,IGBT的電壓規(guī)格要增加一檔。
一般計(jì)算方法:主電源電壓+1.8倍的設(shè)計(jì)裕量,計(jì)算所得取高不取低,如計(jì)算所得為320v,則選取的電壓規(guī)格不得低于320V。
·對(duì)于220V市電:220 ×1.1414×1. 8= 560(V)。因?yàn)闆](méi)有560~600V電壓規(guī)格的產(chǎn)品,故至少應(yīng)該選600V 電壓規(guī)格的產(chǎn)品。
·對(duì)于380V的三相市電:380 ×1.1414 ×1. 8= 967 (V)。因?yàn)闆](méi)有600~1200V 電壓規(guī)格的產(chǎn)品,故至少應(yīng)該選1200V 電壓規(guī)格的產(chǎn)品。
2.直流母線電壓
直流母線電壓與IGBT 電壓規(guī)格的-般對(duì)應(yīng)關(guān)系參見(jiàn)表 2。
表2
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直流母線電壓
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IGBT電壓規(guī)格/V
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注釋
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額定值
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浪涌電壓*大值
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600
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900
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1200
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750
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1100
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1700
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1300
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1900
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2500
|
|
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1500
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2100
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3.3k
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或2個(gè)1700V串聯(lián)
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2500
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3800
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4.5k
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或2個(gè)2500V串聯(lián)
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3000
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4500
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6.5k
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或2個(gè)3.3kV串聯(lián)
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3300
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4900
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6.5k
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或2個(gè)3.3kV串聯(lián)
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5900
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8800
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2個(gè)6.5k串聯(lián)
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9400
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14000
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2個(gè)6.5k串聯(lián)
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或采用多電平拓?fù)?/span>
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1.2 電流規(guī)格的選擇
Fuji模塊用于變頻器的選型推薦(220V市電規(guī)格)見(jiàn)表3。
表3 Fuji模塊用于變頻器的選型推薦(220V市電規(guī)格)
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電機(jī)功率/kW
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變頻器
容量/(kV·A)
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IGBT模塊選型
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N系列
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S系列
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U系列
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1.5
|
3
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7MBR30SA060
|
6MBI20UE-060
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2.2
|
4
|
7MBR30SA060
|
6MBI30UE-060
|
|
3.7
|
6
|
7MBR50SA060
|
6MBI50UF-060
|
|
5.5
|
9
|
7MBI75N-060
|
7MBR75SB060
|
6MBI75U2A-060
|
|
7.5
|
13
|
7MBI100N-060
|
7MBR100SB060
|
6MBI100U2A-060
|
|
11
|
17
|
2MBI150N-060
|
|
2MBI150U2A-060
|
|
15
|
22
|
|
18.5
|
28
|
2MBI200N-060
|
|
2MBI200U2A-060
|
|
22
|
33
|
|
30
|
44
|
2MBI300N-060
|
2MBI300S-060
|
2MBI300U2B-060
|
|
37
|
55
|
|
|
2MBI300U2B-060
|
|
45
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67
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IGBT的推薦工作頻率
隨著制造工藝的不斷進(jìn)步,宣稱能夠工作于更高開(kāi)關(guān)頻率的IGBT新品不斷面世,但在確定電路的工作頻率時(shí)還是應(yīng)該慎重對(duì)待。因?yàn)楣ぷ黝l率不但關(guān)系到功率開(kāi)關(guān)的自身功功耗,還關(guān)系到產(chǎn)品的EMII問(wèn)題—IGBT比VMOS、GTR更容易帶來(lái) EMI問(wèn)題。總之,除技術(shù)要求外,工作頻率的選擇原則應(yīng)該是“寧低勿高”。
IGBT能夠勝任的工作頻率參見(jiàn)表 4。
表4
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項(xiàng)目
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IGBT電壓規(guī)格/V
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推薦*高工作頻率/kHz
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硬開(kāi)關(guān)
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600
|
30
|
|
1200
|
20
|
|
1700
|
10
|
|
3300
|
3
|
|
軟開(kāi)關(guān)
|
*高
|
1200
|
150
|
|
ZVS
|
PT
|
<1200
|
80
|
|
NCT
|
<1200
|
50
|
|
ZCS
|
PT
|
<1200
|
90
|
|
NPT
|
<1200
|
80
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ZVS:零電壓開(kāi)關(guān)
ZCS:零電流開(kāi)關(guān)
以上就是給大家介紹的IGBT模塊參數(shù)和工作頻率選擇,相信大家對(duì)IGBT模塊參數(shù)和工作頻率選擇有一定的了解了,如果需要更買 IGBT模塊或者是其他的模塊,可以咨詢我們?cè)诰€客服,我們會(huì)在**時(shí)間為您解答。
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